Ενισχυτές διαμόρφωσης πλάτους παλμού υψηλής αξιοπιστίας HMSK4300

Sales Ενισχυτές διαμόρφωσης πλάτους παλμού υψηλής αξιοπιστίας HMSK4300

  • :
  • :
  • :

Λεπτομέρεια προϊόντος  

1. Χαρακτηριστικά

Τροφοδοτικό κινητήρα 75 V volt

Δυνατότητα μετατροπέα ρεύματος εξόδου 10A,Τύπος γέφυρας εξόδου MOS-FET όλων των καναλιών N
100% νεκρή-υψηλή ικανότητα μετάδοσης
Κατάλληλο για DC έως 100KHZ AC PWM
Προστασία βραχυκυκλώματος/διασταυρούμενης συμπεριφοράς
Προστασία για κλείδωμα υπό τάση
Έλεγχος για προγραμματιζόμενο νεκρό χρόνο
Έλεγχος για ενεργή απενεργοποίηση κατά χαμηλό επίπεδο
Η απομονωμένη σχεδίαση συσκευασίας παρέχει μόνωση υψηλής τάσης και εξαιρετική απόδοση μετάδοσης θερμότητας
Εργασία για προαιρετική κάμψη τριών ποδιών

2. Εφαρμογές του HMSK4300 Isolation of Square wave Drive

Τριφασικό DC χωρίς ψήκτρες· Ελεγκτής σέρβο· Τριφασικό AC χωρίς ψήκτρες· Έλεγχος ενεργοποιητή πτερυγίων ψύξης· Έλεγχος κινητήρα επαγωγής· Έλεγχος ταχύτητας ανεμιστήρα κλιματισμού.

3. Περιγραφή του HMSK4300 Isolation of Square wave Drive

Η HMSK4300 είναι μια τριφασική γέφυρα με πύλη, σφραγισμένη από τη μεταλλική συσκευασία, μπορεί να εξάγει 10A, η μέγιστη παροχή τάσης μπορεί να φτάσει στα 75V DC. Η τάση σήματος διαθέτει προστασία κλειδώματος υπό τάση, έλεγχο διασταυρούμενης αγωγιμότητας, προγραμματιζόμενο από το χρήστη έλεγχο νεκρού χρόνου και περιορισμό βραχυκυκλώματος. Επιπλέον, η έξοδος της γέφυρας μπορεί να ελεγχθεί με τη χρήση χαμηλής στάθμης διακοπής λειτουργίας. Λόγω της τεχνολογίας απομόνωσης της συσκευασίας του HMSK4300, μπορεί να κάνει το εσωτερικό MOSFET να έχει καλύτερη απόδοση μεταφοράς θερμότητας και να επιτρέπει την άμεση επαφή με τη συσκευή και τον ενεργοποιητή πτερυγίων χωρίς μονωτικό υλικό.
Αυτή η σειρά προϊόντων είναι κατασκευασμένη από ενσωματωμένη διαδικασία υβριδικής μεμβράνης παχιάς, μεταλλική σφραγισμένη συσκευασία. Ο σχεδιασμός και η κατασκευή προϊόντων πληρούν τις απαιτήσεις του MIL-STD και τις λεπτομερείς προδιαγραφές, το επίπεδο ποιότητας είναι H-class.

4. Τεχνικές προδιαγραφές HMSK4300 Isolation of Square wave Drive

Πίνακας 2 Ηλεκτρικό Χαρακτηριστικό

Παράμετρος

Συνθήκη δοκιμής

Μια ομάδα④

MSK4300H③

MSK4300②

Μονάδα

Επιλογή ελέγχου



ελάχ

Τυπικός

Μέγιστη

ελάχ

Τυπικός

Μέγιστη


Στατικό ρεύμα πόλωσης

Κλείστε όλη την είσοδο

1,2,3


2.5

8


2.5

8

mA

Ρεύμα λειτουργίας

Συχνότηταu003d20KHZ, 50% κύκλος λειτουργίας

1,2,3


12.5

15


12.5

15

mA

Τιμή κατωφλίου χαμηλής τάσης (πτώση)


1

5,75

6.6

7.5

5,75

6.6

7.5

V

Τιμή κατωφλίου χαμηλής τάσης (άνοδος)


1

6.2

7.1

8

6.2

7.1

8

V

Χαμηλό επίπεδο τάσης εισόδου①


-

-

-

0,8

-

-

0,8

V

Υψηλό επίπεδο τάσης εισόδου①


-

2.7

-

-

2.7

-

-

V

Χαμηλό επίπεδο ρεύματος εισόδου①

VINu003d0V

-

60

100

135

60

100

135

Μικροαμπέρ

Ρεύμα εισόδου υψηλού επιπέδου①

VINu003d5V

-

-1

-

+1

-1

-

+1

Μικροαμπέρ

Γέφυρα εξόδου

Τάση διάσπασης πηγής αποστράγγισης

IDu003d25μA, κλείστε όλη την είσοδο

-

70

-

-

70

-

-

V

Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης

VDSu003d70V

-

-

-

25

-

-

25

Μικροαμπέρ

Αντίσταση ενεργοποίησης πηγής αποστράγγισης (κάθε FET)

IDu003d10A

1

-

-

0.3

-

-

0.3

Ωμ

Αντίσταση ενεργοποίησης πηγής αποστράγγισης (FET), μόνο θερμικός υπολογισμός)


-

-

-

0,16

-

-

0,16

Ωμ

Χαρακτηριστικό εναλλαγής

Ώρα ανόδου

V+u003d30V,RLu003d3Ω

-

5

-

-

5

-

Νανοδευτερόλεπτο


Απόρριψη χρόνου

IDu003d10A

-

-

-

-

6

-

Νανοδευτερόλεπτο


Καθυστέρηση διεξαγωγής (κάτω)

Αντίσταση SWRu003d∞

4

-

0,5

2

-

0,5

3

Μικροδευτερόλεπτο

Καθυστέρηση απενεργοποίησης (απενεργοποίησης)

Αντίσταση SWRu003d∞

4

-

5

8

-

5

10

Μικροδευτερόλεπτο

Καθυστέρηση διεξαγωγής (πάνω)

Αντίσταση SWRu003d∞

4

-

5

8

-

5

10

Μικροδευτερόλεπτο

Καθυστέρηση απενεργοποίησης (απενεργοποίηση)

Αντίσταση SWRu003d∞

4

-

0,5

2

-

0,5

3

Μικροδευτερόλεπτο

ΝΕΚΡΟΣ ΧΡΟΝΟΣ

Αντίσταση SWRu003d∞

4

6

7

8

6

7

8

Μικροδευτερόλεπτο

ΝΕΚΡΟΣ ΧΡΟΝΟΣ

Αντοχή SWR 12K

4

0.3

0,5

0,7

0.3

0,5

0,7

Μικροδευτερόλεπτο

Πηγή – Χαρακτηριστικά διόδου αποστράγγισης

Εμπρόσθια τάση①

ISDu003d10A

-

-

1.05

1.25

-

1.05

1.25

V

Αντίστροφη χρόνος ανάκτησης①

ISDu003d10A,di/dtu003d100A/μS

-

-

75

-

-

75

-

Νανοδευτερόλεπτο


5. Ονομασίες καρφιτσών του HMSK4300 Isolation of Square wave Drive

Πίνακας 3 Ονομασίες καρφίτσας

Καρφίτσα

Σύμβολο

Ονομασία

Καρφίτσα

Σύμβολο

Ονομασία

1

BH'

Είσοδος λογικού σήματος υψηλού επιπέδου καναλιού Β

6

VBIAS

Τροφοδοτικό για Gate Drive

2

BL

Είσοδος λογικού σήματος χαμηλού επιπέδου καναλιού Β

7

EN'

Ενεργοποίηση λειτουργίας για το σύστημα

3

AL

Μια είσοδος λογικού σήματος χαμηλού επιπέδου καναλιού

8

CL

Είσοδος λογικού σήματος χαμηλού επιπέδου καναλιού C

4

ΑΧ'

Μια είσοδος λογικού σήματος υψηλού επιπέδου καναλιού

9

CH'

Είσοδος λογικού σήματος υψηλού επιπέδου καναλιού C

5

SWR′

Έλεγχος νεκρού χρόνου

10

GND

GND

11

Τριφασική γέφυρα C έξοδος καναλιού

12

RSENSE

Ισχύς GND

13

RSENSE

Ισχύς GND

14

Τριφασική γέφυρα Έξοδος καναλιού

15

V+

+28V

16

V+

Συνδέστε +28V

17

Έξοδος καναλιού τριφασικής γέφυρας Β

18

NC

αναστέλλω


6. Μπλοκ κυκλώματος του HMSK4300 Isolation of Square wave Drive

Ο ενισχυτής διαμόρφωσης πλάτους παλμού περιλαμβάνει κύκλωμα επεξεργασίας σήματος, κύκλωμα οδήγησης μισής γέφυρας και ενισχυτή ισχύος.
Circuit block diagram
Εικόνα 2  Μπλοκ διάγραμμα εργασίας ενός καναλιού

Ένα σήμα τριγώνου κύματος παράγεται από το σήμα ελέγχου εισόδου και το κύκλωμα γεννήτριας τετραγωνικών κυμάτων, η επίδραση του σήματος τριγώνου κύματος και του σταθερού επιπέδου μπορεί να δημιουργήσει σήμα τετραγωνικού κύματος διαμορφωμένου πλάτους. Το κύκλωμα μετάδοσης κίνησης μπορεί να κάνει απομόνωση και διανομή για το διαμορφωμένο μπροστινό πλάτος σήμα τετραγώνου κύματος και στη συνέχεια να οδηγεί τους σωλήνες ισχύος, για να δημιουργήσει ενισχυτή ισχύος και φορτίο κίνησης για κινητήρα συνεχούς ρεύματος.

7. Τυπικό διάγραμμα σύνδεσης HMSK4300 Απομόνωση μονάδας τετραγωνικού κύματος


Typical Connection Diagram
Εικόνα 3  Διάγραμμα σύνδεσης HMSK4300

8. Προδιαγραφές πακέτου HMSK4300 Isolation of Square wave Drive


Package Specifications

Package Specifications
Εικόνα 5 Σχέδιο περιγράμματος πακέτου

Σημειώσεις εφαρμογής παρακαλούμε ανατρέξτε στο παράρτημα, πρέπει να το διαβάσετε προσεκτικά.
Tags :
Leave A Message
If you are interested in our products and want to know more details,please leave a message here,we will reply you as soon as we can.
X

Home

Supplier

Leave a message

Leave a message

If you are interested in our products and want to know more details,please leave a message here,we will reply you as soon as we can.