Στοιχεία τσιπ --- αντιστάσεις και δίκτυα λεπτής μεμβράνης

I. Επισκόπηση
Χρησιμοποιώντας εξάτμιση κενού λεπτής μεμβράνης ημιαγωγών, ψεκασμό, ηλεκτρολυτική επιμετάλλωση, φωτολιθογραφία, κοπή με λέιζερ, χάραξη και άλλες διεργασίες, επιμετάλλωση σχεδίων στην επιφάνεια κεραμικών υποστρωμάτων (ή ειδικών υποστρωμάτων) για την επίτευξη συγκεκριμένων λειτουργιών όπως αντίσταση, χωρητικότητα και επαγωγή. στοιχείο.

2. Χαρακτηριστικά προϊόντος
Υψηλή ακρίβεια, υψηλή αξιοπιστία, ολοκληρωμένη αντικατάσταση ξένων εξαρτημάτων εισαγωγής


3. τεχνικοί δείκτες
Υλικό: SiO2/Al2O3/AlN/Si;
Ακρίβεια: πλάτος γραμμής/ακρίβεια απόστασης ±2,5um, ακρίβεια αντίστασης έως ±0,01%
Μεταλλοποίηση: Ti, Cu, Ni, Pt, Au, αντιστάσεις λεπτής μεμβράνης κ.λπ. πληρούν τις απαιτήσεις της συγκόλλησης χρυσού σύρματος, της συγκόλλησης SnPb/AuSn/AuSi/AuGe, της συγκόλλησης με αγώγιμη κόλλα.
Άλλα: TCR<±25ppm.

4. τυπικά προϊόντα
Τα τυπικά προϊόντα περιλαμβάνουν: αντιστάσεις τσιπ, πυκνωτές τσιπ, επαγωγείς τσιπ, πυροτεχνήματα

5 .περιοχές εφαρμογής
Αεροδιαστημική, αεροπορία, ναυτιλία, πλοία, πυραυλικά, ιατρικά, βιολογικά, εξοπλισμός και άλλους τομείς.