Microwave substrate components
I. Overview
Using semiconductor thin film vacuum evaporation, sputtering, electroplating, photolithography, laser trimming, scribing and other processes, pattern metallization on the surface of ceramic substrates (or special substrates), while integrating resistors, capacitors, inductors, etc., to produce Circuit substrates with specific functions have functions such as electrical connection, physical support, and heat dissipation, and are used in hybrid integrated circuit microwave devices.
2. Product features
High frequency, high precision, high reliability
3. technical indicators
Material: Al2O3.
Accuracy: line width/line spacing accuracy ±2.5um.
Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, TaN resistors, prefabricated AuSn films, etc.; meet the requirements of gold wire bonding, SnPb/AuSn/AuSi/AuGe welding, and conductive adhesive bonding.
Others: Wrap around on the side, through holes (through hole resistance is less than 50 milliohms).
Film system | Typical bottom resistance | 50 -75-100 Ω/□ |
Typical thickness of transition layer | 1000 ~3000Å | |
Surface metal thickness | 3~8μm | |
Photolithography | Resolution | 0.8μm |
Alignment accuracy | ±1μm | |
Double-sided exposure, thick glue exposure | ||
Dicing | Minimum cutting size | 0.5mm×0.5mm |
Dimensional accuracy | ±50μm | |
Unit alignment accuracy | ±5μm | |
Process capability | 2"× 2 |
[1mΣυστατικά υποστρώματος μικροκυμάτων
I. Επισκόπηση
Χρησιμοποιώντας εξάτμιση κενού λεπτής μεμβράνης ημιαγωγών, επιμετάλλωση, ηλεκτρολυτική επίστρωση, φωτολιθογραφία, κοπή με λέιζερ, χάραξη και άλλες διεργασίες, επιμετάλλωση σχεδίων στην επιφάνεια κεραμικών υποστρωμάτων (ή ειδικών υποστρωμάτων), ενώ ενσωματώνονται αντιστάσεις, πυκνωτές, επαγωγείς κ.λπ., για την παραγωγή υποστρωμάτων με συγκεκριμένες λειτουργίες έχουν λειτουργίες όπως ηλεκτρική σύνδεση, φυσική υποστήριξη και απαγωγή θερμότητας και χρησιμοποιούνται σε υβριδικές συσκευές μικροκυμάτων ολοκληρωμένου κυκλώματος.