2. Πεδίο εφαρμογής των μετατροπέων σημείου φορτίου υψηλής αξιοπιστίας MNSX12N0R4S DC σε DC (POL)

Ο μετατροπέας DC σε DC MNSX12N0R4S χρησιμοποιείται στην αεροδιαστημική υψηλής αξιοπιστίας ηλεκτρονικό σύστημα.

3. Περιγραφές του MNSX12N0R4SΥψηλή αξιοπιστίαΣημείο φόρτωσης Μετατροπείς DC σε DC (POL)

Ο μετατροπέας DC/DC σημείου φορτίου MNSX12N0R4S χρησιμοποιεί τοπολογική δομή BUCK-BOOST. Το κύκλωμα περιέχει φίλτρο εισόδου, έλεγχο PWM και αντιδραστικό κύκλωμα και ούτω καθεξής. Το κύκλωμα έχει επίσης προστατευμένη λειτουργία για υπερβολικό ρεύμα και υπό τάση για βελτίωση της αξιοπιστίας.
οΜετατροπέας DC/DC σημείου φορτίου MNSX12N0R4Sείναι αρθρωτή δομή κυκλώματος. Χρησιμοποιείται από τη διαδικασία συναρμολόγησης επιφάνειας PCB, χωρίς ενσωμάτωση, η συσκευασία χρησιμοποιείται από κόλλα βλεννογόνου 2014, αναβλύζοντας τρία στεγανωτικά και κέλυφος χαλκού.

4. Τεχνικές προδιαγραφές του MNSX12N0R4SΥψηλή αξιοπιστίαΣημείο φόρτωσης DC  Μετατροπείς DC (POL)

Φόρμα 2   Αξιολογημένη κατάσταση και συνιστώμενη κατάσταση

Απόλυτη μέγιστη βαθμολογία	Συνιστώμενη κατάσταση
Τάση εισόδου: 18V Ισχύς εξόδου: 4,8W Θερμοκρασία αποθήκευσης: -45-105℃ Θερμοκρασία συγκόλλησης με αντίσταση απαγωγών (10s)：＜ 300℃ Θερμοκρασία διασταύρωσης:＜ 150℃	Τάση εισόδου: 7~18V Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας (Tc)：-40~85℃

Μορφή 3 Ηλεκτρικό Χαρακτηριστικό

Οχι.	Χαρακτηριστικό γνώρισμα	Σύμβολο	Συνθήκες (αλλιώς καθορίζεται) -40℃≤Tc≤85℃,VINu003d12V±0,5V）	Οριακή τιμή		Μονάδα
				ελάχ	Μέγιστη
1	Τάση εισόδου	Vo	VIu003d7V-18V,Iou003d0,05A-0,4A	-12.15	-11,85	V
2	Ρεύμα εξόδου	Io	VIu003d7V-18V	0,05	0.4	A
3	Τάση κυματισμού εξόδου (αιχμής-αιχμής)	VP-P	TAu003d25℃，BW≤20MHz， πλήρες φορτίο	-	120	mV
4	Ρυθμός ρύθμισης τάσης	Sv	πλήρες φορτίο, VIu003d7V 18V	-	0,5	%
5	Ρυθμός ρύθμισης φορτίου	SI	Iou003d0,05A 0,4A	-	1	%
6	Αποδοτικότητα	η	TAu003d25℃， πλήρες φορτίο	75	-	%

Έξοδος σε παράλληλη χωρητικότητα με 0~10μF.

5. Μπλοκ κυκλώματος του MNSX12N0R4SΥψηλή αξιοπιστίαΣημείο φόρτωσης DC  Μετατροπέας DC (POL)

Σχήμα 2    Δημιουργία στοιχειώδους διαγράμματος προϊόντος

6. Τυπική χαρακτηριστική καμπύλη του MNSX12N0R4SΥψηλή αξιοπιστίαΣημείο φόρτωσης DC  Μετατροπέας DC (POL)

Εικ. 3  Αποτελεσματικότητα (ισχύς εξόδου)

7. Καμπύλη MTBF του MNSX12N0R4SΥψηλή αξιοπιστίαΜετατροπέας DC-DC Point of Load (POL)

Χαρακτήρας 4  Καμπύλη θερμοκρασίας MTBF
(Η πρόβλεψη βασίζεται σε καλά θεμελιωμένη)

8. Ονομασία καρφίτσας MNSX12N0R4SΥψηλή αξιοπιστίαΜετατροπέας DC-DC Point of Load (POL)

Εικ. 5 Προβολή προς τα πάνω

Ονομασία φόρμας 4 ακίδων

Οχι.	Σύμβολο	Λειτουργία
1	VI	Εισαγωγή θετική
2	Vo	Έξοδος -12V
3	GND	Είσοδος Έξοδος κοινή
4	GNDC	Πακέτο κοινό
5	GNDC	Πακέτο κοινό

9. Τυπικό διάγραμμα σύνδεσης του MNSX12N0R4SΥψηλή αξιοπιστίαΜετατροπέας DC-DC Point of Load (POL)

Εικ. 6  Διάγραμμα ηλεκτρικών δοκιμών καλωδίωσης

10.Προδιαγραφές πακέτου MNSX12N0R4SΥψηλή αξιοπιστίαΜετατροπέας DC-DC Point of Load (POL)

Εικ. 7 σχέδιο περιγράμματος πακέτου (προβολή προς τα πάνω)

Έντυπο 5  Περίγραμμα πακέτου

Σύμβολο	Δεδομένα/mm
	Ελάχ	Τυπικός	Ελάχ
A	-	-	22,86
B	-	-	23,87
C	-	-	7,87
Ψd	0,47	-	0,73
ｅ1	-	2.54	-
ｅ2	-	5.08	-
ｅ3	-	11.4	-
ｅ4	-	25.4	-
F1	1.0	-	1.6
F1	0.1	-	0,7
L1	3,55	-	-
L2	1.15	-	1,75

Σημείωση: Το μέγεθος για ένα e1 e2 e3 e4 είναι εγγυημένο από την κατασκευή των συσκευασιών, δεν έχουν απαιτήσεις επιθεώρησης.

11. Πληροφορίες παραγγελίας του MNSX12N0R4SΥψηλή αξιοπιστίαΜετατροπέας σημείου φόρτωσης DC-DC (POL)

Εικ. 8 Πληροφορίες παραγγελίας

Σημειώσεις εφαρμογής:

• Η επίδραση της εξωτερικής διαταραχής στην ακρίβεια της δοκιμής θα πρέπει να αποφεύγεται.
• Το σημείο ανίχνευσης τάσης θα πρέπει να διατηρείται στη ρίζα του πείρου του προϊόντος δοκιμής.
• Μην συνδέετε το προϊόν με ρεύμα.
• Πριν τροφοδοτήσετε το προϊόν δοκιμής, πρέπει να επιβεβαιώσετε την πολικότητα του τροφοδοτικού για να αποφύγετε την καταστροφή των προϊόντων λόγω εσφαλμένης σύνδεσης. Ταυτόχρονα, βεβαιωθείτε ότι η τάση τροφοδοσίας και το ρεύμα φορτίου δεν υπερβαίνουν τον περιορισμό χρήσης του προϊόντος δοκιμής.
• Κατά τη χρήση της θερμοκρασίας του κελύφους δεν μπορεί να υπερβεί την καθορισμένη θερμοκρασία, ή να αυξήσει τη χρήση της ψύκτρας.
• Κατά την παραγγελία αυτής της συσκευής, οι λεπτομερείς ηλεκτρικές προδιαγραφές θα βασίζονται στα σχετικά πρότυπα.